收藏本站
IXGN400N60B3
350
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GE = 15V
350
Fig. 2. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GE = 15V
300
10V
9V
300
10V
9V
250
8V
250
8V
200
150
100
50
0
7V
6V
5V
200
150
100
50
0
7V
6V
5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.3
V CE - Volts
Fig. 3. Dependence of V CE(sat) on
Junction Temperature
3.5
V CE - Volts
Fig. 4. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
1.2
V GE = 15V
I
C
= 300A
3.0
T J = 25oC
1.1
1.0
2.5
I
C
= 300A
200A
I
C
= 200A
2.0
100A
0.9
0.8
I
C
= 100A
1.5
0.7
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Input Admittance
280
V GE - Volts
Fig. 6. Transconductance
180
160
140
120
T J = 125oC
25oC
- 40oC
240
200
160
T J = - 40oC
25oC
125oC
100
80
60
120
80
40
40
20
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
I C - Amperes
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXGN50N120C3H1 IGBT 1200V 95A SOT-227
IXGN50N60B IGBT 75A 600V SOT-227B
IXGN60N60C2 IGBT 600V 75A SOT-227B
IXGN60N60 IGBT 600V 100A SOT-227B
IXGN72N60A3 IGBT 160A 600V SOT-227B
IXGN72N60C3H1 IGBT 78A 600V SOT-227B
IXGN80N60A2D1 IGBT 600V 160A FRD SOT-227B
IXGN82N120B3H1 IGBT 1200V 145A SOT-227
相关代理商/技术参数
IXGN40N60CD1 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN50N120C3H1 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGN50N60B 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN50N60BD2 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN60N60 功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN60N60C2 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube